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什么是失效分析?(FA)分析项目有哪些?

发布:2023-11-08 10:12,更新:2024-11-24 08:30

失效分析(FA)是对已失效器件进行的一种事后检查。根据需要,采用电测试以及各种先进的物理、金相和化学分析技术,并结合元案件失效前后的具体情况及有关技术文件进行分析,以验证所报告的失效,确定元图件的失效模式、失效机理和造成失效的原因。

通过失效分析可以发现失效案件的固有质量问题,也有可能发现失效案件因不按规定条件使用而失效地使用质量问题,通过向有关方面反馈,促使责任方采取纠正措施,以便消除所报告的失效模式或机珄产生的原因,防止其再次出现,对提高元条件的固有质量或使用质量都起到十分重要的作用。

失效分析产品范围

PCBA、高光板、雨刮塞、汽车线束、汽车面板、汽车导航、通信模块、LED、光模板分析项目

1、外部检查

2.电参数测试

3、非功能测试

4、X射线照相X-RAY,X-CT射线分析(3D)

5,PIND6、密封性检查

7、声学扫描显微镜分析(SAM)C-SAM,TEM(透射电子显微镜)

8、内部检查

9、剖面金相分析

10、键合强度测试11、剪切强度测试

12、扫描电子显微分析(SEM)、SEM&EDS

13、粗检漏、细检漏14、内部气氛分析仪

15、切片

16、染色试验

17、FIB(聚焦离子束)

18、ESD测试

19、Latch-up 测试(电源端)

20、芯片剪切力、键合拉力、推进球

21、EMMI(光发射显微镜)

22、红外热成像系统

23、TOF-SIMS(二次离子质谱分析)形貌分析技术:体视显微镜、金相显微镜、X射线透视、声学扫描显微镜、扫描电镜、透射电镜、聚焦离子東

成分检测技术:X射线能造EDX、俄敏能诺AES、二次离子质诺SIMS、光诺、色诺、质诺电分析技术:I-V曲线、半导体参数、LCR参数、集成电路参数、频谱分析、ESD参数、电子探针、机械探针、地缘耐压、继电器特性

开封制样技术:化学开封、机械开封、等离子刻蚀、反应离子刻蚀、化学腐蚀、切片缺陷定位技术:液晶热点、红外热像、电压衬度、光发射显微像、OBIRCH


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